Abstract

高出力のルミネセンスダイオードのための半導体チップ(1)が提案される。本発明の半導体チップの縦面は横面よりも格段に長い。こうした構成により光出力を大幅に改善することができる。

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      JP-2007294957-ANovember 08, 2007Samsung Electro Mech Co Ltd, 三星電機株式会社Light emitting diode chip
      JP-2008016565-AJanuary 24, 2008Shinko Electric Ind Co Ltd, 新光電気工業株式会社発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置
      JP-2008042160-AFebruary 21, 2008Yiguang Electronic Ind Co Ltd, 億光電子工業股▲ふん▼有限公司側面出射型発光ダイオードの封止構造
      JP-2010287583-ADecember 24, 2010Toyoda Gosei Co Ltd, 豊田合成株式会社Led lamp
      JP-2010529658-AAugust 26, 2010バーティクル,インク発光ダイオードおよびその製造方法
      JP-2011049587-AMarch 10, 2011Samsung Led Co Ltd, サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.発光ダイオードチップ