無ドープの酸化ケイ素と窒化珪素との上部にあるドープされた酸化ケイ素のための選択性を有するエッチング剤、そのエッチング剤を使用する方法、及びそれにより形成された構造。

Abstract

xは2乃至5の整数、yは1乃至4の整数で、x+yは6である、C 2 H x F y からなるエッチング剤は無ドープ二酸化珪素や窒化珪素よりもドープされた二酸化珪素を選択的にエッチングする。従って、C 2 H x F y からなるエッチング剤を使用したドライエッチング法において、無ドープ二酸化珪素や窒化珪素がエッチング停止材として使用され得る。C 2 H x F y は基本エッチング剤として、或いは他のエッチング剤や混合エッチング剤の添加物として使用され得る。本発明のエッチング剤や本発明の方法に基いてパターニングされた構造を含む半導体デバイス(10)も開示した。具体的には、本発明は、殆ど垂直な側壁(34)有するドープされた酸化珪素構造(24)と、側壁(34)に近接して露出した無ドープ二酸化珪素や窒化珪素の構造体とを含む半導体デバイス(10)からなる。

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